長鑫科技砸349億人民幣擴研發與封測

中國記憶體大廠長鑫科技在 2026 年上半年繳出歷史最佳成績後，宣布啟動總額 349 億人民幣的投資計畫，資金將投入 DRAM 製程研發與後段測試。資金中 180 億元來自 IPO 超額募集資金，其餘以增資與借貸籌措。

受記憶體漲價及 AI、伺服器需求帶動，長鑫上半年營收達 1,503.1 億人民幣，年增 873.64%；歸屬母公司淨利 776.5 億元，去年同期則虧損 23.32 億元。由於三星電子、SK海力士與美光把產能集中在 HBM 與伺服器 DDR5，通用型 DRAM 出現供給缺口，長鑫趁勢擴產，全球市佔率逼近 10%，躍升全球第四大。

投資兩大項目

• 次世代 DRAM 製程研發 241 億元：為期 30 個月，約為上半年研發費用 68.59 億元的 3.5 倍。長鑫 9 月已宣布第五代 DRAM 製程平台進入量產。
• 晶圓後段測試基地二期 108 億元：為期 37 個月、預計 2029 年完工，未來可自行完成 DRAM 晶圓測試與模組組裝。

供應鏈方面，兆易創新因 DRAM 代工價格上漲，將 2026 年與長鑫的關聯交易預估金額由 57.11 億元調高至 78.54 億元。不過報導也提到，隨長約簽署增加，DRAM 現貨與短期價格漲幅可能在第三季趨緩。

資料來源：TechNews 科技新報